计算机拉制砷化镓单晶的数学模型及其最佳控制

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计算机拉制砷化镓单晶的数学模型及其最佳控制

何梁昌, 王德宁, 缪仲熙, 乐忠法, 陈法萍, 蒋大卫

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何梁昌, 王德宁, 缪仲熙, 乐忠法, 陈法萍, 蒋大卫. 计算机拉制砷化镓单晶的数学模型及其最佳控制. 自动化学报, 1979, 5(2): 89-96.

引用本文:

何梁昌, 王德宁, 缪仲熙, 乐忠法, 陈法萍, 蒋大卫. 计算机拉制砷化镓单晶的数学模型及其最佳控制. 自动化学报, 1979, 5(2): 89-96.

Ho Liang-chang, Wang Te-ning, Miu Chung-hsi, Le Chung-fa, Chen Fa-ping, Chiang Ta-wei. The Mathematical Model and Optimum Control of Computer-Controlled Gallium Arsenide Single Crystal Growth. ACTA AUTOMATICA SINICA, 1979, 5(2): 89-96.

Citation:

Ho Liang-chang, Wang Te-ning, Miu Chung-hsi, Le Chung-fa, Chen Fa-ping, Chiang Ta-wei. The Mathematical Model and Optimum Control of Computer-Controlled Gallium Arsenide Single Crystal Growth. ACTA AUTOMATICA SINICA, 1979, 5(2): 89-96.

何梁昌, 王德宁, 缪仲熙, 乐忠法, 陈法萍, 蒋大卫. 计算机拉制砷化镓单晶的数学模型及其最佳控制. 自动化学报, 1979, 5(2): 89-96.

引用本文:

何梁昌, 王德宁, 缪仲熙, 乐忠法, 陈法萍, 蒋大卫. 计算机拉制砷化镓单晶的数学模型及其最佳控制. 自动化学报, 1979, 5(2): 89-96.

Ho Liang-chang, Wang Te-ning, Miu Chung-hsi, Le Chung-fa, Chen Fa-ping, Chiang Ta-wei. The Mathematical Model and Optimum Control of Computer-Controlled Gallium Arsenide Single Crystal Growth. ACTA AUTOMATICA SINICA, 1979, 5(2): 89-96.

Citation:

Ho Liang-chang, Wang Te-ning, Miu Chung-hsi, Le Chung-fa, Chen Fa-ping, Chiang Ta-wei. The Mathematical Model and Optimum Control of Computer-Controlled Gallium Arsenide Single Crystal Growth. ACTA AUTOMATICA SINICA, 1979, 5(2): 89-96.

计算机拉制砷化镓单晶的数学模型及其最佳控制

1.
中国科学院上海冶金研究所

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出版历程
- 刊出日期: 1979-02-20

The Mathematical Model and Optimum Control of Computer-Controlled Gallium Arsenide Single Crystal Growth

1.
Shanghai Institute of Metallurgy,Academia Sinica

摘要: 本文应用现代控制理论,建立了计算机控制的液封法直拉砷化镓单晶的数学模型,在这基础上设计了一个由电视机对直径的采样值以及加热功率构成的三阶闭环控制系统.

Abstract: This paper discusses the establishment of the mathematical model of a computercontrolled liquid encapsulated Gallium Arsenide crystal growth. On this basis, a third-order close-loop control system of heating power by the television-measured diameter value is designed.

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